IXTK32P60P - IXYS - MOSFET P-CH 600V 32A TO264 | |
Paketleme | Tube |
Fet Tipi | P-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 600V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 16A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 1mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 196nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 11100pF @ 25V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 890W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-264 (IXTK) |
Paket / Kılıf | TO-264-3, TO-264AA |