IPB017N06N3GATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 196µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 275 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 23000 pF @ 30 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 250W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO263-7 |
Paket / Kılıf | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) |