SI4848DY-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 150 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 1.5W (Ta) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |
Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |