SIA469DJ-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 | |
FET Tipi | P-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 26.5mOhm @ 5A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1020 pF @ 15 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 15.6W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SC-70-6 |