BSZ22DN20NS3GATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 225mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 13µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 430 pF @ 100 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 34W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PG-TSDSON-8 |
Paket / Kılıf | 8-PowerTDFN |