STF18N65M2 - STMICROELECTRONICS - MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 330mOhm @ 6A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±25V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 770 pF @ 100 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 25W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-220FP |
Paket / Kılıf | TO-220-3 Full Pack |