RD3T050CNTL1 - ROHM SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CH 200V 5A TO252 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 760mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.25V @ 1mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 29W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | TO-252 |
Paket / Kılıf | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |