FDS6575 - ONSEMI - MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC | |
FET Tipi | P-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 2.5V, 4.5V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 10A, 4.5V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 74 nC @ 4.5 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 4951 pF @ 10 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 2.5W (Ta) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |
Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |