IPP339N20NM6AKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 6.8A (Ta), 39A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V, 15V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 31.8mOhm @ 26A, 15V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4.5V @ 52µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1600 pF @ 100 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 3.8W (Ta), 125W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO220-3-1 |
Paket / Kılıf | TO-220-3 |