QS8M51TR - ROHM SEMICONDUCTOR - MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8 | |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Konfigürasyon | N and P-Channel |
FET Özelliği | Logic Level Gate |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 2A, 1.5A |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 325mOhm @ 2A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 4.7nC @ 5V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 290pF @ 25V, 950pF @ 25V |
Güç - Maks. | 1.5W |
Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Paket / Kılıf | 8-SMD, Flat Leads |
Tedarikçi Paketleme | TSMT8 |