TPN1R603PL,L1Q - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 40A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.1V @ 300µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 3900 pF @ 15 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 104W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | 175°C |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
Paket / Kılıf | 8-PowerVDFN |