RE1C002UNTCL - ROHM SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 1.2V, 2.5V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 1mA |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 25 pF @ 10 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 150mW (Ta) |
Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | EMT3F (SOT-416FL) |
Paket / Kılıf | SC-89, SOT-490 |