SISA14DN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 10A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +20V, -16V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1450 pF @ 15 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 1212-8 |
Paket / Kılıf | PowerPAK® 1212-8 |