EPC2050 - EPC - TRANS GAN BUMPED DIE | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 350 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 6.3A (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 5V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 6A, 5V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 4 nC @ 5 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +6V, -4V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 628 pF @ 280 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | - |
Çalışma Sıcaklığı | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | Die |
Paket / Kılıf | Die |