PMV100ENEAR - NEXPERIA USA INC. - MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 3A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 5.5 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 160 pF @ 15 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 460mW (Ta), 4.5W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | Automotive |
Kalifikasyon | AEC-Q101 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | TO-236AB |
Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |