PMV32UP,215 - NEXPERIA USA INC. - MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | P-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 2.4A, 4.5V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 510mW (Ta) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 950mV @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | TO-236AB |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 1.8V, 4.5V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 15.5 nC @ 4.5 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1890 pF @ 10 V |