IXTH48N65X2 - IXYS - MOSFET N-CH 650V 48A TO-247 | |
Paketleme | Tube |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 24A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 77nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 4420pF @ 25V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 660W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-247 |
Paket / Kılıf | TO-247-3 |