IXTY08N100D2 - IXYS - MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK |
Paketleme | Tube |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1000V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 800mA (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 21Ohm @ 400mA, 0V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | - |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 14.6nC @ 5V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 325pF @ 25V |
Fet Özelliği | Depletion Mode |
Maksimum Güç Tüketimi | 60W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | TO-252, (D-Pak) |
Paket / Kılıf | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |