SIR510DP-T1-RE3 - VISHAY SILICONIX - N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 31A (Ta), 126A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 7.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 4980 pF @ 50 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |