TP65H070G4RS-TR - TRANSPHORM - 650 V 29 A GAN FET | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | 16-PowerSOP Module |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 18A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 96W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4.8V @ 700µA |
Tedarikçi Paketleme | TOLT |
Derece | - |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 638 pF @ 400 V |
Kalifikasyon | - |