FDP61N20 - ONSEMI - MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 61A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 30.5A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 5V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 3380 pF @ 25 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 417W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-220-3 |
Paket / Kılıf | TO-220-3 |