RSR010N10HZGTL - ROHM SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 1A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 3.5 nC @ 5 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 700mW (Ta) |
Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
Derece | Automotive |
Kalifikasyon | AEC-Q101 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | TSMT3 |
Paket / Kılıf | SC-96 |