TSM210N02CX RFG - TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION - MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 6.7A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 1.8V, 4.5V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 800mV @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 4 nC @ 4.5 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±10V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 600 pF @ 10 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 1.56W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | SOT-23 |
Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |