IXTY1R6N100D2 - IXYS - MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 | |
Paketleme | Tube |
Paket / Kılıf | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V |
Fet Özelliği | Depletion Mode |
Maksimum Güç Tüketimi | 100W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | - |
Tedarikçi Paketleme | TO-252AA |
Maksimum Sürüş Gerilimi | - |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1000 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 27 nC @ 5 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 645 pF @ 25 V |