SIS407ADN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® 1212-8 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | P-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 15A, 4.5V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 1212-8 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 1.8V, 4.5V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 168 nC @ 8 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 5875 pF @ 10 V |