SIB452DK-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SC-75-6 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SC-75-6 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 1.8V, 4.5V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±16V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 190 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 135 pF @ 50 V |