SI4431CDY-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 30V 9A 8SO | |
FET Tipi | P-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 7A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1006 pF @ 15 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |
Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |