RJK0852DPB-00#J5 - RENESAS ELECTRONICS CORPORATION - MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | SC-100, SOT-669 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 15A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 55W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | - |
Tedarikçi Paketleme | LFPAK |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 80 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 28 nC @ 4.5 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 4150 pF @ 10 V |