FDT86256 - ONSEMI - MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 150 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta), 3A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 845mOhm @ 1.2A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 2 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 73 pF @ 75 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 2.3W (Ta), 10W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | SOT-223-4 |
Paket / Kılıf | TO-261-4, TO-261AA |