SI4463BDY-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | P-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 9.8A (Ta) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 13.7A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 1.5W (Ta) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 2.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±12V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 56 nC @ 4.5 V |