EPC2215 - EPC - GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | Die |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 32A (Ta) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 5V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | - |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 6mA |
Tedarikçi Paketleme | Die |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 5V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +6V, -4V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 17.7 nC @ 5 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1790 pF @ 100 V |