SI2337DS-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | P-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 80V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1.2A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 500pF @ 40V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | SOT-23-3 (TO-236) |
Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |