SUM110P06-08L-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 60V 110A TO263 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet Tipi | P-Channel |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 30A, 10V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 3.75W (Ta), 272W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | TO-263 (D²Pak) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 9200 pF @ 25 V |