SI2369BDS-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | P-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 19.5nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +16V, -20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 745pF @ 15V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | SOT-23-3 (TO-236) |
Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |