SI4425BDY-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | P-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 11.4A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 1.5W (Ta) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |
Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |