SI7617DN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® 1212-8 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet Tipi | P-Channel |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 13.9A, 10V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 1212-8 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±25V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1800 pF @ 15 V |