SI2369DS-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet Tipi | P-Channel |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5.4A, 10V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | SOT-23-3 (TO-236) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1295 pF @ 15 V |