SI7115DN-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® 1212-8 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma sıcaklığı | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet Tipi | P-Channel |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 8.9A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 4A, 10V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 52W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 1212-8 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 150 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1190 pF @ 50 V |