SQD40P10-40L_GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | P-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 8.2A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 144nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 5540pF @ 15V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 136W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | TO-252AA |
Paket / Kılıf | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |