SQJ184EP-T1_GE3 - VISHAY SILICONIX - AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 118A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 15A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 234W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 80 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 3478 pF @ 25 V |