SI7812DN-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 75V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 7.2A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 840pF @ 35V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 1212-8 |
Paket / Kılıf | PowerPAK® 1212-8 |