SIS176LDN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE | |
Paketleme | Digi-Reel® |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 70V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 3.3V, 4.5V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 10A, 4.5V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±12V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1660pF @ 35V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 3.6W (Ta), 39W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 1212-8 |
Paket / Kılıf | PowerPAK® 1212-8 |