IRLD024PBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP | |
Paketleme | Tube |
Paket / Kılıf | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Montaj Tipi | Through Hole |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.5A, 5V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 1.3W (Ta) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | 4-HVMDIP |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4V, 5V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±10V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 870 pF @ 25 V |