2N7002-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 115mA (Ta) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 500mA, 10V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 200mW (Ta) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | TO-236 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 50 pF @ 25 V |