SIR426DP-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 15A, 10V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 40 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1160 pF @ 20 V |