SIRA12DP-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 10A, 10V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 4.5W (Ta), 31W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +20V, -16V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2070 pF @ 15 V |