SI2304DDS-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.2A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | SOT-23-3 (TO-236) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 235 pF @ 15 V |