SIS412DN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® 1212-8 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7.8A, 10V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 1212-8 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 435 pF @ 15 V |