SI7454DP-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 7.8A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 1.9W (Ta) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |