SIS890DN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® 1212-8 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 23.5mOhm @ 10A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 1212-8 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 802 pF @ 50 V |